英文名称:Sulfane
CAS号:7803-62-5
分子式:SiH4
分子量:32.12
规格:99.999%
熔点(101.325kPa): -185.0℃
沸点(101.325kPa): -111.5℃
液体密度(-185℃): 711kg/m3
气体密度(0℃,100kPa): 1.42kg/m3
相对密度(气体,空气=1,20℃,101.325kPa):1.114
比容(21.1℃,101.325kPa): 0.7518m/kg
气液容积比(15℃,100kPa):412L/L
临界温度: -3.4℃
临界压力:4843kPa
包装:44L、47L钢瓶充装,也可根据客户需要,分装到8L的气瓶中
产品参数:
气体 |
纯度 |
杂志含量(ppm) |
钢瓶 |
阀门 |
备注 |
SiH4 |
99.9999% |
CO2≤0.05,CO≤0.05,Ar≤0.5,C2H6≤0.15, |
47L |
JIS22L |
10KG/瓶 |
H2≤20,He≤1,O2≤0.5,N2≤0.5H2O≤0.5,CH4≤0.05 |
44L |
DISS632 |
11KG/瓶 |
硅烷质量标准:
项目名称 |
杂质含量(ppm) |
硅烷 纯度指标(%) ≥99.9999 |
|
氩气(Ar) |
≤0.05 |
氯硅烷(Chlorosilane)) |
≤0.15 |
乙硅烷(Si2H6)) |
≤0.5 |
氦气(He) |
≤1 |
一氧化碳(CO) |
≤0.05 |
氧气(O2) |
≤0.05 |
氮气(N2) |
≤1 |
氢气(H2) |
≤20 |
二氧化碳(CO2) |
≤0.05 |
甲烷(CH4) |
≤0.05 |
碳(C) |
≤0.2 |
二氯二氢硅(SiH2Cl2) |
≤0.5 |
甲基硅烷(CH3Si) |
≤0.5 |
金属离子(Metals) |
≤0.03 |
硅烷有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等,还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
硅烷广泛应用于微电子、光电子工业。可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、异质硅、各种金属硅化物等。因为它高纯度和能实现精细控制,已成为许多其他硅源无法取代的重要特种气体。
硅烷气是太阳能电池生产过程中不可或缺的材料,因为它是将硅分子附着于电池表面的最有效方式。在高于400℃的环境下,硅烷气分解成气态硅和氢气。氢气燃烧后,剩下的就是纯硅了。此外,硅烷气可以说是无处不在。除了光伏产业外,还有很多制造工厂需要用到硅烷气,如平板显示器、半导体、甚至镀膜玻璃生产厂。
储存:
1.在通风良好、安全且不受天气影响的地方存储。钢瓶应直立摆放。且保持保护性阀盖和输出阀的密封完好。
2.存储区域应远离频繁出入处和紧急出口。储存区域内不应有火源,储存区内所有电器必须有防爆设施。易燃物存放区应与氧及氧化物存放区最少相距20ft。
3.或者在中间放置至少5英尺高的非易燃材料作为屏障,以保证能耐火半小时。储存区和使用区内应有“禁止吸烟和使用明火”的告示牌。 苯基氯硅烷4.存储温度不可高于125℉(52℃)。将空瓶与满瓶分开存放。避免过量存储和存储时间过长。
5.使用先进先出系统。应考虑在储存区内安装测漏器和报警设备。
注意事项:
系统温度不可低于-170℉ (-112℃),否则可能会吸入空气形成爆炸性混合物。
2.不要让硅烷与重金属卤化物或卤素接触,硅烷与它们剧烈反应。应仔细吹扫系统,以防残留有脱脂剂,其中所含的卤素或其他含氯的碳氢化合物。
3.用二至三倍的工作压力对系统进行全面加压检漏,最好使用氦气。此外,还应建立和执行常规的检漏制度。
4.系统检漏或因其他原因打开之后,应使用抽真空或惰性气体吹扫的方法将系统中的空气吹扫干净。在打开任何装有硅烷的系统之前必须用惰性气体全面吹扫系统。如果系统中的任何部分有死角或可能残留硅烷的地方,必须抽真空循环吹扫。
5.应将硅烷排放到一个专门处理它的地方,最好是将它燃烧掉。即使硅烷浓度较低也十分危险,不能暴露在空气中。硅烷在被惰性气体稀释成不可燃的气体后也可以排空。
6.应按照美国压缩气体协会的要求储存和使用压缩气体。当地可能对储存和使用气体要求有特殊的设备规定。 |